制备成功!这一领域我国再获重要突破
来源:科技日报
发布时间:2025-05-08
7日从中国科学技术大学获悉,该校姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟团队通过给发光二极管(LED)“拍片子”,找到了纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因,并成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED。他们自主研发出给LED“拍片子”的“黑科技”——电激发瞬态吸收光谱技术(EETA),通过探测LED内部的电子(负电)和空穴(正电),发现空穴泄漏到电子传输层是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。研究团队基于三维钙钛矿异质结开发的纯红光钙钛矿LED具有国际领先水平的高性能:峰值外量子效率(EQE)达到24.2%,与顶级OLED(有机发光二极管)水平相当。