全球首颗！复旦二维-硅基闪存芯片破解“存储速率”难题

摘要：

2025年10月8日，复旦大学周鹏-刘春森团队在《自然》发表重磅成果：成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，攻克存储领域“速率与非易失”难以兼顾的核心难题，这是继今年4月“破晓”皮秒闪存器件后，这是团队在二维电子器件工程化上的又一里程碑。

当前存储器存在明显短板：易失性存储器速度快（1-30纳秒）但断电丢数据，传统闪存非易失却效率落后芯片算力10万倍。团队此前研发的“破晓”器件虽实现400皮秒超高速非易失存储，却面临二维材料（仅1-3个原子厚）与CMOS电路集成的难题——CMOS电路如“微缩城市”，直接铺设脆弱的二维材料易破裂。

团队创新采用“模块化集成”方案：先将二维存储电路与成熟CMOS电路分离制造，再通过微米级高密度单片互连技术整合，集成良率超94%，既保留400皮秒的超快存储速度，又实现与传统半导体生产线的兼容。该技术被视为中国集成电路“源技术”，未来或颠覆传统存储体系，为AI、大数据提供高速低耗的数据支撑，团队计划3-5年将其集成到兆量级水平。

图片来源：央视新闻